这是芯片的制造工艺！

摩尔定律表示：集成电路上可以容纳的晶体管数目，大约每经过24个月便会增加一倍。

换言之，处理器的性能每隔两年翻一倍

但是……摩尔定律也即将走向终结。

当芯片的制程工艺，达到3nm、1nm的时候，想要突破纳米级，进入皮米级？

这个难度有多大？！

这是一种物理限制。

同时也是一种材料的限制。

目前，对于光刻机、芯片制程工艺方面，国内在奋起直追。

甚至都不是非常担心。

这时候国内已经能拿出14nm制程工艺，距离7nm、5nm或许还有一定的距离。

但是当台电、阿斯麦的光刻机进入1nm的时候。

想要再突破，就不是那么简单了。

当初光刻机市场洗牌，是因为光源问题！

而今，光刻机、芯片制程工艺洗牌，是因为物理限制和材料限制。

从纳米级进入皮米级，又会被卡多久？

十年？

还是二十年？

被卡住这个时间，就是国内光刻机，芯片制造技术追赶的事情。

而在制程工艺得不到突破的情况下，如何使用同样的制程工艺，增加芯片的性能？

一个是重新设计芯片架构、指令集、核心之类的，提升芯片性能。

这个比较难。

现在的芯片革新架构、指令集之类的，都是经过几十年不断优化和完善，可以说是最优的。

一个是采用3D堆叠，通过在存储层上叠加逻辑层，将芯片的结构由平面型升级成立体型，大大缩短互连线长度，使得数据传输更快，所受干扰更小。

此外，就是使用全新的材料。

全新的材料，让同样的制程工艺、同样大小、同样多的晶体管，打造出来的芯片，确实能拥有更加强大的性能。

目前芯片使用的是以硅材料作为制造芯片。

如果使用石墨烯材料这种碳材料……理论上来说，同样的制程工艺，其运行速度是现在传统芯片的5-10倍。

功耗方面，却只是有十分之一不到！

石墨烯中的电子迁移速度是硅材料的10倍。

石墨烯打造的芯片，主频在理论上可达300GHz，而散热量和功耗却远低于硅基芯片。