这一点，就连庞学林也没什么办法。

让他在理论上有所突破可以，让他快速提升国内工业制造水平，庞学林同样一筹莫展。

硅基芯片制程上的差距，让中国很难在短时间内追上西方发达国家。

但硅基领域没办法弯道超车，并不意味着没有另辟蹊径的办法。

碳纳米管被科学家们给予了厚望。

这与其本身的特性息息相关。

首先，碳纳米管芯片身量虽小，但节能增效能力却更强。

碳纳米管是由单层碳原子卷成管状的碳材料，导电性能极好，而且，碳元素在地球上的储量十分丰富。

碳纳米管的直径可以根据工艺的不同制成几纳米到几十纳米长；管壁厚度更小，根据壁层碳原子数量不同，碳纳米管可以分为单壁碳纳米管和多壁碳纳米管；在同样集成度的情况下，碳纳米管芯片比硅元器件体积更小。

同时，碳纳米管的韧性极高，可以承受弯曲、拉伸等应力，电信号传输过程的延迟很短，所以，从材料物理属性上看，碳纳米管具有替代硅芯片的潜力。

其次，碳材料具有多种同素异形体，除了碳纳米管以外，还有人们熟知的金刚石、石墨、富勒烯、活性炭等等。

其导电性质强烈地依赖于结构，可以由绝缘体转变为半导体、由半导体变为导体。

而且，它的导电方式和原理与传统的晶体管不一样，有更强的传导能力。

另外，现有的晶体管在导电过程中无可避免地会产生漏电流，漏电会导致发热，而碳纳米管可以避免这一问题，故而能效相对较高。

从理论上讲，碳纳米管芯片的能量利用率有望超过现有芯片的能效比（60至70）。

发热问题的解决也给芯片的散热降低了压力。